製品概要

TBBT01 Bias-Tee は、パワー インダクタの飽和効果とコンデンサに対するバイアス電圧の効果を測定するデバイスです。パワー インダクタ テスト用に入手可能なバイアス ティーのほとんどは低周波数で動作するため、RF パワー アンプや EMC フィルタのデカップリング/バイアス インダクタの評価には適していません。ただし、RF バイアス ティーは通常、電流能力が制限されており、より低い周波数領域では使用できません。TBBT01 は、大電流だけでなく高帯域幅も測定できます。
パワーインダクタにはフェライトコアが使用されていることが多いため、磁気飽和の影響を受けます。インダクタのデータシートに指定されている磁気飽和電流に達する前であっても、インダクタンスは減少し始め、コンポーネントの RF 特性は劣化します。
EMC フィルタを構築する際に DC 電流の影響が過小評価されることが多く、フィルタが計画どおりに機能しません。負荷条件下での EMC フィルタの周波数応答を評価するには、電流注入用の高電流バイアス ティーが必要です。
高電流バイアス ティーは、幅広い追加アプリケーションに使用できます。DC パスのデカップリングとフィルタリングにインダクタが使用される場合は常に、負荷電流条件下でインダクタンスを測定するのが最良の手順です。バイアス電流が流れるパルストランスにも同じことが当てはまります。
TBBT01 は、50 オームの RF パスに最大 10A DC 電流を注入でき、5 kHz ～ 1.5 GHz の周波数で動作します。
TBBT01 の挿入損失は注入電流とは無関係です。

仕様

• ● 使用周波数範囲：5kHz～1.2GHz
• ● RF パス挿入損失: <1 dB typ. 10 kHz – 1 GHの範囲で、5 kHz – 1.2 GHzの範囲で< 1.5 dB
• ● VSWR: 5 kHz ～ 1 GHz の範囲で 1 < VSWR < 2
• ● 特性周波数範囲: 1 kHz ～ 3 GHz
• ● RF 電力処理: 50 W (5 kHz ～ 1 GHz)
• ● RF-コネクタ: N-メス
• ● 動作電圧範囲: 最大±100V
• ● 動作電流範囲: ± 5A ～ 10 A DC、加熱特性プロットを参照、連続 ± 5A DC、最大 ±15A DC
• ● DC パス抵抗: < 1.5 Ω @ 22°C
• ● DC入力ソケット: Phoenix Contact 1998933、オス
• ● 相手側メス端子：フエニックスコンタクト 1967375
• ● 寸法: 150 mm x 155 mm x 330 mm。
• ● 重量: 3kg
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