EMC試験の製品一覧
全431件見つかりました。
干渉を受ける電子デバイスおよびアセンブリ内の非反応性高速過渡パルス磁場を測定
テスト対象デバイスで問題を引き起こすバーストおよび ESD プロセスを分析が可能
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ウェーブクレスト株式会社｜最終更新日：2025/01/15
開発段階でプリント基板の EMI 抑制に使用される EMC ツールのセット
E1 セットを使用して、バーストおよび ESD 干渉の原因を迅速に特定できます。
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ウェーブクレスト株式会社｜最終更新日：2025/01/15
IC ピンまたは導体の感度を決定するために使用されるプローブ チップ
テスト中、プローブ チップはピンまたは導電パスに接着されます。
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ウェーブクレスト株式会社｜最終更新日：2025/01/15
高性能Eフィールドソース ES05D
導電パス、小型コンポーネントとそのコネクタ、ワイヤ、抵抗器やコンデンサなどの単一の SMD コンポーネントに配置するのに適しています。
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ウェーブクレスト株式会社｜最終更新日：2025/01/15
SGZ 21 バースト ジェネレータは、浮遊するパルス状の妨害波を生成
アセンブリ内で直接、またはテスト対象デバイスのフィールド ソースを介して間接的に、構造部品、ケーブル、シールド、接地接続に部分的に結合できます。
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ウェーブクレスト株式会社｜最終更新日：2025/01/15
バースト テスト中にテスト対象デバイスからバイナリ信号を非反応的に送信するためのデジタル プローブ
光ファイバー ケーブルを介した信号送信ではテスト対象デバイスのテスト環境は変わりませんが、受信した信号によってテスト対象デバイスの具体的な機能を制御できるため、妨害された信号をすぐに検出できます。
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ウェーブクレスト株式会社｜最終更新日：2025/01/15
レイアウト内の弱点を特定するために設計
直径 5 cm を超える B フィールド バンドルを生成し、ハウジングの表面と内部領域、接続技術、および導電パス構造と IC を備えたアセンブリの広範囲のパルス化に最適
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ウェーブクレスト株式会社｜最終更新日：2025/01/15
レイアウト内の弱点を特定するために設計
直径 5 cm を超える B フィールド バンドルを生成し、ハウジングの表面と内部領域、接続技術、および導電パス構造と IC を備えたアセンブリの広範囲のパルス化に最適
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ウェーブクレスト株式会社｜最終更新日：2025/01/15
レイアウト内の弱点を特定するために設計
直径 5 cm を超える B フィールド バンドルを生成し、ハウジングの表面と内部領域、接続技術、および導電パス構造と IC を備えたアセンブリの広範囲のパルス化に最適
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ウェーブクレスト株式会社｜最終更新日：2025/01/15
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