電磁気分析装置の製品一覧
全32件見つかりました。
干渉を受ける電子デバイスおよびアセンブリ内の非反応性高速過渡パルス磁場を測定
テスト対象デバイスで問題を引き起こすバーストおよび ESD プロセスを分析が可能
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ウェーブクレスト株式会社｜最終更新日：2025/01/15
IC ピンまたは導体の感度を決定するために使用されるプローブ チップ
テスト中、プローブ チップはピンまたは導電パスに接着されます。
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ウェーブクレスト株式会社｜最終更新日：2025/01/15
高性能Eフィールドソース ES05D
導電パス、小型コンポーネントとそのコネクタ、ワイヤ、抵抗器やコンデンサなどの単一の SMD コンポーネントに配置するのに適しています。
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ウェーブクレスト株式会社｜最終更新日：2025/01/15
レイアウト内の弱点を特定するために設計
直径 5 cm を超える B フィールド バンドルを生成し、ハウジングの表面と内部領域、接続技術、および導電パス構造と IC を備えたアセンブリの広範囲のパルス化に最適
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ウェーブクレスト株式会社｜最終更新日：2025/01/15
レイアウト内の弱点を特定するために設計
直径 5 cm を超える B フィールド バンドルを生成し、ハウジングの表面と内部領域、接続技術、および導電パス構造と IC を備えたアセンブリの広範囲のパルス化に最適
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ウェーブクレスト株式会社｜最終更新日：2025/01/15
レイアウト内の弱点を特定するために設計
直径 5 cm を超える B フィールド バンドルを生成し、ハウジングの表面と内部領域、接続技術、および導電パス構造と IC を備えたアセンブリの広範囲のパルス化に最適
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ウェーブクレスト株式会社｜最終更新日：2025/01/15
ミリメートル範囲の磁場を生成
結合クランプのように機能し、単一の導電パス、IC ピン、SMD コンポーネント、および細いケーブル (フラット リボン ケーブル) 内の妨害電流を選択的に結合するのに使用されます。
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ウェーブクレスト株式会社｜最終更新日：2025/01/15
アセンブリへの妨害電流の結合にも使用可能なEフィールドソース
大きな (150 cm²) 電気結合、またはフィールド ソース ヘッドのエッジも直線状である電気結合を可能にします。
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ウェーブクレスト株式会社｜最終更新日：2025/01/15
5 ～ 10 cm の範囲の平面または線状の弱点をパルス化するのに適しています。
ES 01 は、アセンブリへの妨害電流の結合にも使用できます。
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ウェーブクレスト株式会社｜最終更新日：2025/01/15
高性能Eフィールドソース ES02
E フィールド ソース ヘッドの表面により、ハウジングの表面や内部領域、接続技術、および導電パス構造や IC (バス システム、LCD ディスプレイなど) とのアセンブリへの広範な結合が可能になります。
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ウェーブクレスト株式会社｜最終更新日：2025/01/15
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